အီလက်ထရွန်းနစ်နယ်ပယ်တွင်၊ MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) များသည် နေရာအနှံ့တွင်ရှိသော အစိတ်အပိုင်းများဖြစ်လာကြပြီး ၎င်းတို့၏ စွမ်းဆောင်ရည်၊ ကူးပြောင်းမှုအမြန်နှုန်းနှင့် ထိန်းချုပ်နိုင်မှုတို့အတွက် ဂုဏ်ယူကြသည်။ သို့သော်၊ MOSFETs ၏ မွေးရာပါလက္ခဏာဖြစ်သည့် body diode သည် ဖြစ်နိုင်ချေရှိသော အားနည်းချက်- ချို့ယွင်းမှုကို မိတ်ဆက်ပေးသည်။ MOSFET body diode ချို့ယွင်းချက်သည် ရုတ်တရက်ပြိုကွဲခြင်းမှ စွမ်းဆောင်ရည်ကျဆင်းခြင်းအထိ ပုံစံအမျိုးမျိုးဖြင့် ထင်ရှားနိုင်သည်။ ဤကျရှုံးမှုများ၏ ဘုံအကြောင်းရင်းများကို နားလည်ခြင်းသည် ငွေကုန်ကြေးကျများသော စက်ရပ်ချိန်ကို တားဆီးရန်နှင့် အီလက်ထရွန်နစ်စနစ်များ၏ ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို သေချာစေရန်အတွက် အရေးကြီးပါသည်။ ဤဘလော့ဂ်ပို့စ်သည် MOSFET body diode ချို့ယွင်းမှုများ၏ ကမ္ဘာကို စူးစမ်းလေ့လာပြီး၊ ၎င်းတို့၏ မူလအကြောင်းတရားများ၊ ရောဂါရှာဖွေရေးနည်းပညာများနှင့် ကြိုတင်ကာကွယ်မှုအစီအမံများကို စူးစမ်းလေ့လာပါသည်။
MOSFET Body Diode Failure ၏ အဖြစ်များသော အကြောင်းရင်းများကို စူးစမ်းလေ့လာပါ။
Avalanche Breakdown- MOSFET ၏ပြိုကွဲမှုဗို့အားထက်ကျော်လွန်ခြင်းသည် နှင်းပြိုကျမှုပြိုကွဲမှုကိုဖြစ်ပေါ်စေနိုင်ပြီး ခန္ဓာကိုယ်ဒိုင်အိုဒတ်၏ရုတ်တရက်ချို့ယွင်းမှုကိုဖြစ်စေသည်။ ဗို့အားအလွန်အကျွံတက်ခြင်း၊ ဗို့အားလွန်ကဲခြင်း သို့မဟုတ် လျှပ်စီးကြောင်းကြောင့် ဖြစ်နိုင်ပါသည်။
Reverse Recovery Failure- MOSFET body diodes တွင် ပေါက်ဖွားလာသော ပြောင်းပြန်ပြန်လည်ရယူခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်သည် ဗို့အားမြင့်တက်ခြင်းနှင့် စွမ်းအင်များ ကျဆင်းခြင်းကို ဖြစ်ပေါ်စေနိုင်သည်။ ဤဖိစီးမှုများသည် diode ၏စွမ်းဆောင်နိုင်ရည်ထက် ကျော်လွန်ပါက၊ ၎င်းသည် ကျရှုံးနိုင်ပြီး circuit ချွတ်ယွင်းမှုဖြစ်စေသည်။
အပူလွန်ကဲခြင်း- မြင့်မားသောလည်ပတ်ရေစီးကြောင်းများ၊ လုံလောက်သောအပူရှိန်မရှိခြင်း သို့မဟုတ် ပတ်ဝန်းကျင်အပူချိန်လွန်ကဲခြင်းကြောင့်ဖြစ်ရသည့် အလွန်အကျွံအပူထုတ်ပေးခြင်းသည် ခန္ဓာကိုယ်ဒိုင်အိုဒအပါအဝင် MOSFET ၏အတွင်းပိုင်းဖွဲ့စည်းပုံကို ပျက်စီးစေနိုင်သည်။
Electrostatic Discharge (ESD) - ရုတ်တရက်လျှပ်စစ်ဓာတ်အားလျှပ်စစ်ထုတ်လွှတ်မှုများကြောင့်ဖြစ်ရသည့် ESD ဖြစ်ရပ်များသည် MOSFET အတွင်းသို့ စွမ်းအင်မြင့်လျှပ်စီးကြောင်းများ ထိုးသွင်းနိုင်ပြီး ခန္ဓာကိုယ်ဒိုင်အိုဒမ်၏ချို့ယွင်းမှုကိုဖြစ်စေနိုင်သည်။
ထုတ်လုပ်မှု ချို့ယွင်းချက်များ- အညစ်အကြေးများ၊ တည်ဆောက်ပုံဆိုင်ရာ ချို့ယွင်းချက်များ သို့မဟုတ် microcracks ကဲ့သို့သော ထုတ်လုပ်မှု မစုံလင်မှုများသည် ခန္ဓာကိုယ် diode အတွင်းရှိ အားနည်းချက်များကို မိတ်ဆက်နိုင်ပြီး ကမောက်ကမအောက်တွင် ပျက်ကွက်မှုကို ခံနိုင်ရည် တိုးစေသည်။
MOSFET Body Diode ပျက်ကွက်မှုကို စစ်ဆေးခြင်း။
အမြင်အာရုံစစ်ဆေးခြင်း- အပူလွန်ကဲခြင်း သို့မဟုတ် လျှပ်စစ်ဖိစီးမှုတို့ကို ညွှန်ပြနိုင်သည့် အရောင်ပြောင်းခြင်း၊ ကွဲအက်ခြင်း သို့မဟုတ် မီးလောင်ဒဏ်ရာများကဲ့သို့သော ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ ထိခိုက်မှုလက္ခဏာများအတွက် MOSFET အား စစ်ဆေးပါ။
လျှပ်စစ်တိုင်းတာချက်များ- diode ၏ ရှေ့နှင့်ပြောင်းပြန် ဗို့အား လက္ခဏာများကို တိုင်းတာရန် multimeter သို့မဟုတ် oscilloscope ကို အသုံးပြုပါ။ ရှေ့သို့ဗို့အား အလွန်နည်းသော သို့မဟုတ် ယိုစိမ့်သောလျှပ်စီးကဲ့သို့ ပုံမှန်မဟုတ်သော ဖတ်ရှုမှုများသည် diode ချို့ယွင်းမှုကို ညွှန်ပြနိုင်သည်။
Circuit Analysis- Diode ချို့ယွင်းမှုကို အထောက်အကူဖြစ်စေနိုင်သည့် အလားအလာရှိသော stressors များကို ခွဲခြားသတ်မှတ်ရန် ဗို့အားအဆင့်များ၊ ကူးပြောင်းမှုအမြန်နှုန်းများနှင့် လက်ရှိ load များအပါအဝင် circuit ၏လည်ပတ်မှုအခြေအနေများကို ပိုင်းခြားစိတ်ဖြာပါ။
MOSFET Body Diode Failure ကို ကာကွယ်ခြင်း- Proactive Measures
ဗို့အားကာကွယ်ရေး- Zener diodes သို့မဟုတ် varistors ကဲ့သို့သော ဗို့အားကာကွယ်ရေးကိရိယာများကို အသုံးပြု၍ ဗို့အားတက်ခြင်းများကို ကန့်သတ်ရန်နှင့် MOSFET အား ဗို့အားလွန်ကဲမှုအခြေအနေများမှ ကာကွယ်ရန်။
Snubber Circuits- ခုခံအားနှင့် ကာပတ်စီတာများပါရှိသော snubber ဆားကစ်များကို အကောင်အထည်ဖော်ပါ၊ ဗို့အားတက်ခြင်းများကို သက်သာစေရန်နှင့် ပြောင်းပြန်ပြန်လည်ကောင်းမွန်လာချိန်တွင် စွမ်းအင်များသုန်းသွားစေရန်၊ ခန္ဓာကိုယ် diode ပေါ်ရှိ စိတ်ဖိစီးမှုကို လျှော့ချရန်၊
သင့်လျော်သော Heatsinking- MOSFET မှ ထုတ်ပေးသော အပူများကို ထိထိရောက်ရောက် ချေဖျက်ရန် လုံလောက်သော အပူရှိန်ကို သေချာစေပြီး၊ အပူလွန်ကဲခြင်းနှင့် ဖြစ်နိုင်ချေရှိသော diode ပျက်စီးမှုကို ကာကွယ်ပေးသည်။
ESD ကာကွယ်ခြင်း- MOSFET ၏ကိုယ်ထည်ဒိုင်အိုဒိုက်ကို ပျက်စီးစေမည့် ESD ဖြစ်ရပ်များ ဖြစ်နိုင်ခြေကို လျှော့ချရန် မြေစိုက်ခြင်းနှင့် တည်ငြိမ်-ပျော်ဝင်စေသော ကိုင်တွယ်ခြင်းဆိုင်ရာ လုပ်ထုံးလုပ်နည်းများကဲ့သို့သော ESD အကာအကွယ်အစီအမံများကို အကောင်အထည်ဖော်ပါ။
အရည်အသွေးပိုင်း အစိတ်အပိုင်းများ- Diode ချို့ယွင်းမှုကို ဖြစ်စေနိုင်သည့် ထုတ်လုပ်မှုဆိုင်ရာ ချို့ယွင်းချက် ဖြစ်နိုင်ခြေကို လျှော့ချရန် တင်းကြပ်သော အရည်အသွေး ထိန်းချုပ်မှု စံနှုန်းများဖြင့် ကျော်ကြားသော ထုတ်လုပ်သူများထံမှ MOSFET များကို အရင်းအမြစ်များ ပေးပို့ပါသည်။
နိဂုံး
MOSFET body diode ချို့ယွင်းချက်များသည် အီလက်ထရွန်းနစ်စနစ်များတွင် သိသာထင်ရှားသော စိန်ခေါ်မှုများကို ဖြစ်စေနိုင်ပြီး ဆားကစ်ချွတ်ယွင်းမှု၊ စွမ်းဆောင်ရည် ကျဆင်းမှုနှင့် စက်ပစ္စည်းပျက်စီးခြင်းတို့ကိုပင် ဖြစ်စေနိုင်သည်။ MOSFET body diode ချို့ယွင်းမှုများအတွက် ဖြစ်လေ့ရှိသော အကြောင်းရင်းများ၊ ရောဂါရှာဖွေရေးနည်းပညာများနှင့် ကြိုတင်ကာကွယ်ရေးအစီအမံများကို နားလည်ခြင်းသည် ၎င်းတို့၏ဆားကစ်များ၏ ယုံကြည်စိတ်ချရမှုနှင့် တာရှည်ခံမှုကို သေချာစေရန် အင်ဂျင်နီယာများနှင့် နည်းပညာရှင်များအတွက် မရှိမဖြစ်လိုအပ်ပါသည်။ ဗို့အားကာကွယ်ရေး၊ snubber circuits၊ သင့်လျော်သော heatsinking၊ ESD ကာကွယ်မှုနှင့် အရည်အသွေးမြင့် အစိတ်အပိုင်းများကို အသုံးပြုခြင်းဖြင့်၊ MOSFET body diode ချို့ယွင်းမှုအန္တရာယ်ကို သိသိသာသာလျှော့ချနိုင်ပြီး၊ ချောမွေ့သောလည်ပတ်မှုနှင့် အီလက်ထရွန်းနစ်စနစ်များ၏ သက်တမ်းရှည်ကြာမှုကို သေချာစေသည်။
စာတင်ချိန်- ဇွန်-၁၁-၂၀၂၄