နိဒါန်း
ထရန်စစ္စတာများသည် မရေမတွက်နိုင်သော စက်ပစ္စည်းများ၏ တည်ဆောက်မှုဆိုင်ရာ အတုံးအခဲများအဖြစ် ခေတ်မီအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများ၏ အလုပ်ရုံများဖြစ်သည်။ သို့သော် ရိုးရှင်းသောမွမ်းမံမှုတစ်ခုသည် ဤစွယ်စုံရအစိတ်အပိုင်းများတွင် လုပ်ဆောင်ချက်အသစ်များကို လော့ခ်ဖွင့်နိုင်သည်ကို သင်သိပါသလား။ အခြေခံ ထရန်စစ္စတာ၏ စွမ်းရည်များကို ချဲ့ထွင်နိုင်သော လိမ္မာပါးနပ်သော နည်းပညာတစ်ခုဖြစ်သည့် diode-ချိတ်ဆက်ထားသော ထရန်စစ္စတာအား ထည့်သွင်းပါ။ ဤဘလော့ဂ်ပို့စ်သည် ၎င်းတို့၏ အယူအဆ၊ လုပ်ဆောင်ချက်နှင့် အီလက်ထရွန်းနစ်ဆားကစ်များရှိ အံ့သြဖွယ်အပလီကေးရှင်းအချို့ကို ရှင်းပြထားသည့် diode-ချိတ်ဆက်ထားသော ထရန်စစ္စတာများ၏ ကမ္ဘာသို့ တိုးဝင်လာပါသည်။
Diode-Connected Transistor ကို နားလည်ခြင်း။
ပုံမှန် bipolar junction transistor (BJT) ကို မြင်ယောင်ကြည့်ပါ။ ၎င်းတွင် အခြေစိုက်စခန်း၊ စုဆောင်းသူနှင့် ထုတ်လွှတ်သည့် စက်သုံးမျိုးရှိသည်။ စံပုံစံဖွဲ့စည်းမှုတစ်ခုတွင်၊ base သို့ ဗို့အားအသုံးပြုခြင်းသည် စုဆောင်းသူနှင့် ထုတ်လွှတ်သည့်ကြားရှိ လက်ရှိစီးဆင်းမှုကို ထိန်းချုပ်သည်။ သို့သော်၊ diode-ချိတ်ဆက်ထားသော transistor တွင် base နှင့် collector သည် အတွင်းပိုင်း သို့မဟုတ် အပြင်ဘက်တွင် ချိတ်ဆက်ထားပြီး အဓိကအားဖြင့် single terminal ကို ဖန်တီးသည်။ ဤရိုးရှင်းသော ပြုပြင်မွမ်းမံမှုသည် ထရန်စစ္စတာအား ဗို့အားထိန်းချုပ်ထားသော ခုခံမှုအဖြစ်သို့ ပြောင်းလဲပေးကာ ကျန်ဗို့အား emitter terminal မှ ခုခံမှုကို ဆုံးဖြတ်ပေးပါသည်။
ဘယ်လိုအလုပ်လုပ်လဲ
အခြေစိုက်စခန်းနှင့် စုဆောင်းသူပါ၀င်သည်နှင့်၊ ထရန်စစ္စတာသည် forward-bias ဒေသဟုခေါ်သည့်အရာတွင် လုပ်ဆောင်သည်။ emitter တွင် ဗို့အားတစ်ခုသက်ရောက်သောအခါ၊ စီးဆင်းမှုစတင်သည်။ သို့သော်၊ စံထရန်စစ္စတာနှင့်မတူဘဲ၊ လက်ရှိသည် အသံချဲ့ထွင်ခြင်းမရှိပါ။ ယင်းအစား၊ emitter နှင့် ပေါင်းစပ် base-collector terminal အကြား ခုခံအားသည် အသုံးချဗို့အားအပေါ်အခြေခံ၍ ပြောင်းလဲပါသည်။ ဤပြောင်းလဲနိုင်သော ခံနိုင်ရည်သည် အီလက်ထရွန်းနစ် ဆားကစ်များတွင် စိတ်လှုပ်ရှားဖွယ် အပလီကေးရှင်းများကို ရရှိစေပါသည်။
အလားအလာကို ထုတ်ဖော်ခြင်း- Diode-Connected Transistors များ၏ အသုံးချမှုများ
ဗို့အားဖြင့် ခံနိုင်ရည်အား ထိန်းချုပ်နိုင်စွမ်းသည် အမျိုးမျိုးသော လုပ်ဆောင်ချက်များကို တံခါးဖွင့်ပေးသည်-
လက်ရှိကြည့်မှန်များ- ဤပညာရှိဆားကစ်များသည် input current ၏တိကျသောပုံတူကိုဖန်တီးရန် diode-ချိတ်ဆက်ထားသော transistor ကိုအသုံးပြုသည်။ analog signal processing နှင့် integrated circuit design ကဲ့သို့သော application များတွင် ၎င်းသည် အရေးကြီးပါသည်။
Level Shifters- တစ်ခါတစ်ရံတွင်၊ အီလက်ထရွန်းနစ်ဆားကစ်များသည် မတူညီသောဗို့အားအဆင့်တွင် လုပ်ဆောင်သည်။ Diode ချိတ်ဆက်ထားသော ထရန်စစ္စတာများကို အစိတ်အပိုင်းများကြားတွင် လိုက်ဖက်မှုရှိစေရန် ဗို့အားအချက်ပြမှုအဆင့်သို့ ကွဲပြားစေရန် အသုံးပြုနိုင်သည်။
အပူချိန် လျော်ကြေးပေးခြင်း- အချို့သော အီလက်ထရွန်နစ် အစိတ်အပိုင်းများသည် အပူချိန် အတက်အကျများကို အထိမခံနိုင်ပါ။ ခံနိုင်ရည်အား အလိုအလျောက်ချိန်ညှိခြင်းဖြင့် ဤပြောင်းလဲမှုများအတွက် လျော်ကြေးပေးရန် Diode-ချိတ်ဆက်ထားသော ထရန်စစ္စတာများကို အသုံးပြုနိုင်သည်။
နိဂုံး
diode-ချိတ်ဆက်ထားသော ထရန်စစ္စတာသည် ရိုးရှင်းသော ပြုပြင်မွမ်းမံမှုတစ်ခုကဲ့သို့ ထင်ရသော်လည်း ၎င်းသည် အီလက်ထရွန်နစ်ပတ်လမ်းဒီဇိုင်းတွင် ဖြစ်နိုင်ခြေရှိသောကမ္ဘာကို ဖွင့်ပေးသည်။ ၎င်းသည်မည်သို့အလုပ်လုပ်ပုံနှင့်၎င်း၏အမျိုးမျိုးသောအပလီကေးရှင်းများကိုနားလည်ခြင်းဖြင့်၊ သင်သည် transistor များ၏ဘက်စုံအသုံးပြုနိုင်မှုနှင့်ခေတ်မီနည်းပညာကိုပုံဖော်ရာတွင်၎င်းတို့၏အခန်းကဏ္ဍအတွက်ပိုမိုလေးနက်စွာတန်ဖိုးထားမှုကိုရရှိသည်။ အီလက်ထရွန်နစ် အစိတ်အပိုင်းများနှင့် ဆားကစ်ဒီဇိုင်းဆိုင်ရာ အသိပညာကို ချဲ့ထွင်ရန် ရှာဖွေနေပါသလား။ ကျွန်ုပ်တို့၏ ပြည့်စုံသောအရင်းအမြစ်များနှင့် သင်ခန်းစာများကို စူးစမ်းပါ။
စာတိုက်အချိန်- ဇွန်-၀၄-၂၀၂၄