Metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) သည် အီလက်ထရွန်းနစ်လုပ်ငန်းကို တော်လှန်ခဲ့ပြီး ဆားကစ်များစွာတွင် နေရာအနှံ့ အစိတ်အပိုင်းများဖြစ်လာခဲ့သည်။ ၎င်းတို့၏ အဓိကလုပ်ဆောင်ချက်မှာ လျှပ်စစ်အချက်ပြမှုများကို ထိန်းချုပ်ရန်နှင့် ချဲ့ထွင်ရန်ဖြစ်သော်လည်း MOSFET များသည် မကြာခဏ သတိမမူမိသော်လည်း အရေးကြီးသောဒြပ်စင်ဖြစ်သည့် အတွင်းပိုင်းကိုယ်ထည်ဒိုင်အိုဒကို ထားရှိထားပါသည်။ ဤဘလော့ဂ်ပို့စ်သည် MOSFET body diodes ၏ ရှုပ်ထွေးပွေလီသော ရှုပ်ထွေးမှုများတွင် ၎င်းတို့၏ဆုံးရှုံးမှုများကို လျှော့ချရန်နှင့် အလုံးစုံပတ်လမ်းထိရောက်မှုကို မြှင့်တင်ရန် ဗျူဟာများကို စူးစမ်းလေ့လာထားသည်။
MOSFET Body Diode Losses ကို နားလည်ခြင်း။
MOSFET တည်ဆောက်မှုအတွင်း မွေးရာပါ ကပ်ပါးလမ်းဆုံတစ်ခုဖြစ်သည့် body diode သည် unidirectional current flow ကိုပြသပြီး လျှပ်စီးကြောင်းမှ drain မှ source သို့ ဖြတ်သွားသော်လည်း အပြန်အလှန်မကူးပါ။ ၎င်းသည် အဖိုးတန်သော ရည်ရွယ်ချက်များကို ဆောင်ရွက်ပေးနေစဉ်၊ body diode သည် circuit efficiency ကို လျှော့ချပေးသည့် power losses များကို မိတ်ဆက်ပေးနိုင်သည်။
Conduction Losses- MOSFET ၏အခြေအနေတွင်၊ body diode သည် လျှပ်စီးကြောင်းပြောင်းပြန်သို့ပို့ဆောင်ပြီး အပူနှင့် dissipating power ကိုထုတ်ပေးသည်။
ဆုံးရှုံးမှုများကို ပြောင်းလဲခြင်း- MOSFET ကူးပြောင်းခြင်းအကူးအပြောင်းများအတွင်း၊ ခန္ဓာကိုယ်ဒိုင်အိုဒသည် ပြောင်းပြန်ပြန်လည်ရယူသည့်ကာလတွင် လက်ရှိစီးဆင်းနေပြီး ဆုံးရှုံးမှုများကို ကူးပြောင်းစေသည်။
MOSFET Body Diode ဆုံးရှုံးမှုကို လျှော့ချရန် မဟာဗျူဟာများ
သင့်လျော်သော MOSFET များကိုရွေးချယ်ခြင်း- conduction နှင့် switching losses များကို လျှော့ချရန်အတွက် အသီးသီးသော conduction နှင့် switching losses များကို လျှော့ချရန် low body diode forward voltage နှင့် reverse recovery time ပါသော MOSFET ကိုရွေးချယ်ပါ။
Drive အချက်ပြမှုများကို ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ခြင်း- switching တွင် ဆုံးရှုံးမှုများကို လျှော့ချရန်၊ switching တွင် body diode လုပ်ဆောင်သည့်အချိန်ကို လျှော့ချရန် သင့်လျော်သော gate drive အချက်ပြမှုများကို အသုံးပြုပါ။
Snubber Circuits များကိုအသုံးပြုခြင်း- ကပ်ပါးလျှပ်ကူးပစ္စည်းများတွင်သိုလှောင်ထားသောစွမ်းအင်ကိုသွေ့ခြောက်သွားစေရန်နှင့်ဗို့အားမြင့်တက်မှုကိုလျှော့ချရန်နှင့်ကူးပြောင်းခြင်းဆုံးရှုံးမှုများကိုလျော့ပါးသက်သာစေရန် resistors နှင့် capacitors များပါရှိသော snubber circuits များကိုအကောင်အထည်ဖော်ပါ။
Parallel Body Diodes- အထူးသဖြင့် လက်ရှိ high-current applications များတွင် current ကို မျှဝေပြီး power dissipation ကို လျှော့ချရန် body diode နှင့် အပြိုင် ပြင်ပ diode များကို စဉ်းစားပါ။
Alternative Circuit ဒီဇိုင်း- အချို့ကိစ္စများတွင်၊ body diode ၏ conduction လမ်းကြောင်းအတွက် လိုအပ်မှုကို ဖယ်ရှားပေးသော အစားထိုး circuit topologies များသည် ဆုံးရှုံးမှုများကို ပိုမိုလျှော့ချရန် စဉ်းစားနိုင်သည်။
MOSFET Body Diode ဆုံးရှုံးမှုကို လျှော့ချခြင်း၏ အကျိုးကျေးဇူးများ
ပိုမိုကောင်းမွန်သော စွမ်းဆောင်ရည်- body diode ဆုံးရှုံးမှုကို လျှော့ချခြင်းဖြင့် အလုံးစုံ circuit efficiency ကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေပြီး ပါဝါသုံးစွဲမှု နည်းပါးပြီး စွမ်းအင်ချွေတာမှုအဖြစ် ဘာသာပြန်ပါသည်။
လျှော့ချထားသော အပူထုတ်ပေးခြင်း- ဆုံးရှုံးမှုကို လျှော့ချခြင်းဖြင့် MOSFET နှင့် ပတ်ဝန်းကျင်ရှိ အစိတ်အပိုင်းများအတွင်း အပူထုတ်လုပ်မှုကို လျှော့ချပေးကာ အပူပိုင်းစွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ပေးပြီး အစိတ်အပိုင်းများ၏ သက်တမ်းကို တိုးမြှင့်ပေးသည်။
ပိုမိုကောင်းမွန်သော ယုံကြည်စိတ်ချရမှု- စက်လည်ပတ်မှုအပူချိန်ကို နိမ့်ကျစေပြီး အစိတ်အပိုင်းများပေါ်ရှိ ဖိစီးမှုကို လျှော့ချပေးခြင်းဖြင့် ဆားကစ်အား ပိုမိုကောင်းမွန်စေပြီး တာရှည်ခံနိုင်စေပါသည်။
နိဂုံး
မကြာခဏ လျစ်လျူရှုထားသော်လည်း MOSFET body diodes သည် circuit efficiency နှင့် performance ကို သိသိသာသာ သက်ရောက်မှုရှိနိုင်သည်။ ခန္ဓာကိုယ် diode ဆုံးရှုံးမှုများ၏ အရင်းအမြစ်များကို နားလည်ခြင်းနှင့် ထိရောက်သော လျော့ပါးသက်သာစေရေး ဗျူဟာများကို အကောင်အထည်ဖော်ခြင်းသည် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားပြီး ယုံကြည်စိတ်ချရသော အီလက်ထရွန်နစ်စနစ်များကို ဒီဇိုင်းထုတ်ရန်အတွက် အရေးကြီးပါသည်။ ဤနည်းပညာများကို အသုံးပြုခြင်းဖြင့် အင်ဂျင်နီယာများသည် ဆားကစ်စွမ်းဆောင်ရည်ကို အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင်၊ စွမ်းအင်သုံးစွဲမှုကို လျှော့ချနိုင်ပြီး ၎င်းတို့၏ အီလက်ထရွန်နစ်ဒီဇိုင်းများ၏ သက်တမ်းကို သက်တမ်းတိုးနိုင်သည်။
စာတိုက်အချိန်- ဇွန်- ၀၇-၂၀၂၄