အီလက်ထရွန်းနစ်နယ်ပယ်တွင် MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) များသည် ထိရောက်မှု၊ ကူးပြောင်းမှုအမြန်နှုန်းနှင့် ထိန်းချုပ်နိုင်မှုတို့အတွက် ကျော်ကြားသော နေရာအနှံ့တွင် အစိတ်အပိုင်းများအဖြစ် ပေါ်ထွက်လာခဲ့သည်။ သို့သော်လည်း၊ MOSFETs ၏ မွေးရာပါလက္ခဏာဖြစ်သည့် body diode သည် စက်၏စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် circuit ဒီဇိုင်းအပေါ် သက်ရောက်မှုရှိနိုင်သည့် reverse recovery ဟုခေါ်သော ဖြစ်စဉ်ကို မိတ်ဆက်ပေးသည်။ ဤဘလော့ဂ်ပို့စ်သည် MOSFET ဘော်ဒီဒိုင်အိုဒိတ်များတွင် ပြောင်းပြန်ပြန်လည်ထူထောင်ရေးလောကသို့ သရုပ်ဖော်ထားပြီး ၎င်း၏ယန္တရား၊ အရေးပါမှုနှင့် MOSFET အပလီကေးရှင်းများအတွက် သက်ရောက်မှုများကို ရှာဖွေဖော်ထုတ်ထားသည်။
Reverse Recovery ၏ ယန္တရားကို ထုတ်ဖော်ပြသခြင်း။
MOSFET ကို ပိတ်ထားသောအခါ၊ ၎င်း၏ ချန်နယ်မှတဆင့် စီးဆင်းနေသော ရေစီးကြောင်းသည် ရုတ်တရက် ပြတ်တောက်သွားသည်။ သို့သော်၊ MOSFET ၏မွေးရာပါဖွဲ့စည်းပုံဖြင့်ဖွဲ့စည်းထားသော parasitic body diode သည် channel တွင်သိမ်းဆည်းထားသော charge ကိုပြန်လည်ပေါင်းစပ်ထားသောကြောင့် reverse current ကိုလုပ်ဆောင်သည်။ ပြောင်းပြန်ပြန်လည်ရယူရေးလက်ရှိ (Irrm) ဟုလူသိများသော ဤပြောင်းပြန်လျှပ်စီးကြောင်းသည် သုညသို့ရောက်ရှိသည်အထိ အချိန်ကြာလာသည်နှင့်အမျှ တဖြည်းဖြည်း ပျက်စီးသွားပြီး၊ ပြောင်းပြန်ပြန်လည်ရယူရေးကာလ (trr) ၏အဆုံးသတ်အမှတ်အသားဖြစ်သည်။
Reverse Recovery ကို လွှမ်းမိုးသည့်အချက်များ
MOSFET body diodes ၏ ပြောင်းပြန်ပြန်လည်ထူထောင်ရေးလက္ခဏာများသည် အကြောင်းရင်းများစွာဖြင့် လွှမ်းမိုးထားသည်။
MOSFET ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံ- ဂျီသြမေတြီ၊ မူးယစ်ဆေးဝါးအဆင့်များနှင့် MOSFET ၏အတွင်းပိုင်းဖွဲ့စည်းပုံ၏ ပစ္စည်းဂုဏ်သတ္တိများသည် Irrm နှင့် tr ကိုဆုံးဖြတ်ရာတွင် အရေးပါသောအခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်ပါသည်။
လည်ပတ်မှုအခြေအနေများ- အသုံးချဗို့အား၊ ကူးပြောင်းမှုအမြန်နှုန်းနှင့် အပူချိန်တို့ကဲ့သို့သော လည်ပတ်မှုအခြေအနေများကြောင့် ပြောင်းပြန်ပြန်လည်ရယူသည့်အပြုအမူကိုလည်း ထိခိုက်ပါသည်။
ပြင်ပပတ်လမ်း- MOSFET နှင့်ချိတ်ဆက်ထားသော ပြင်ပဆားကစ်များသည် snubber circuits သို့မဟုတ် inductive loads များရှိနေခြင်းအပါအဝင် နောက်ပြန်ပြန်လည်ရယူခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်ကို လွှမ်းမိုးနိုင်သည်။
MOSFET အပလီကေးရှင်းများအတွက် Reverse Recovery ၏သက်ရောက်မှုများ
Reverse recovery သည် MOSFET အပလီကေးရှင်းများတွင် စိန်ခေါ်မှုများစွာကို မိတ်ဆက်ပေးနိုင်သည်-
Voltage Spikes- ပြောင်းပြန်ပြန်လည်ရယူစဉ်အတွင်း ရုတ်တရက်ပြောင်းပြန်လျှပ်စီးကြောင်းများ ရုတ်တရက်ကျဆင်းခြင်းသည် MOSFET ၏ပြိုကွဲဗို့အားထက်ကျော်လွန်သွားနိုင်သော ဗို့အားကိုထုတ်ပေးနိုင်ပြီး စက်ပစ္စည်းကိုထိခိုက်စေနိုင်သည်။
စွမ်းအင်ဆုံးရှုံးမှု- ပြောင်းပြန်ပြန်လည်ရယူသည့် လျှပ်စီးကြောင်းသည် စွမ်းအင်ကို ပြေပျောက်စေပြီး ဓာတ်အားဆုံးရှုံးမှုနှင့် ဖြစ်နိုင်ခြေရှိသော အပူပေးပြဿနာများ ဖြစ်ပေါ်စေသည်။
Circuit Noise- ပြောင်းပြန်ပြန်လည်ရယူခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်သည် signal integrity ကိုထိခိုက်စေပြီး အရေးကြီးသော circuit များတွင် ချို့ယွင်းချက်များကို ဖြစ်စေနိုင်သောကြောင့် circuit အတွင်းသို့ ဆူညံသံများ ထိုးသွင်းနိုင်သည်။
Reverse Recovery Effects များကို လျော့ပါးစေခြင်း။
ပြောင်းပြန်ပြန်လည်နာလန်ထူခြင်း၏ဆိုးကျိုးများကို လျော့ပါးသက်သာစေရန်၊ နည်းလမ်းများစွာကို အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။
Snubber Circuits- ပုံမှန်အားဖြင့် resistors နှင့် capacitors များပါ၀င်သော Snubber circuit များသည် ဗို့အားမြင့်တက်မှုကို ဟန့်တားရန်နှင့် ပြောင်းပြန်ပြန်လည်ရယူစဉ်အတွင်း စွမ်းအင်ဆုံးရှုံးမှုကိုလျှော့ချရန် MOSFET နှင့် ချိတ်ဆက်နိုင်သည်။
Soft Switching Techniques- pulse-width modulation (PWM) သို့မဟုတ် resonant switching ကဲ့သို့သော Soft switching techniques များသည် MOSFET ၏ switching ကို တဖြည်းဖြည်း ထိန်းချုပ်နိုင်ပြီး၊ ပြောင်းပြန် ပြန်လည်ရယူခြင်း၏ ပြင်းထန်မှုကို လျှော့ချပေးနိုင်ပါသည်။
Low Reverse Recovery ဖြင့် MOSFET များကို ရွေးချယ်ခြင်း- Irrm နှင့် trr နိမ့်သော MOSFET များကို circuit ၏ စွမ်းဆောင်ရည်အပေါ် ပြောင်းပြန်ပြန်လည်ရယူခြင်း၏ အကျိုးသက်ရောက်မှုကို လျှော့ချရန် ရွေးချယ်နိုင်ပါသည်။
နိဂုံး
MOSFET body diodes တွင် ပြောင်းပြန်ပြန်လည်ရယူခြင်းသည် စက်ပစ္စည်းစွမ်းဆောင်ရည်နှင့် ဆားကစ်ဒီဇိုင်းကို သက်ရောက်မှုရှိစေသော မွေးရာပါဝိသေသတစ်ခုဖြစ်သည်။ သင့်လျော်သော MOSFETs ကိုရွေးချယ်ခြင်းနှင့် အကောင်းဆုံးပတ်လမ်းစွမ်းဆောင်ရည်နှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုတို့ကိုသေချာစေရန်အတွက် ယန္တရား၊ လွှမ်းမိုးမှုရှိသောအချက်များနှင့် သက်ရောက်မှုများကို နားလည်ခြင်းသည် အရေးကြီးပါသည်။ MOSFET များသည် အီလက်ထရွန်းနစ်စနစ်များတွင် အဓိကအခန်းကဏ္ဍမှ ဆက်လက်ပါဝင်နေသဖြင့်၊ ပြောင်းပြန်ပြန်လည်ရယူခြင်းကို ကိုင်တွယ်ဖြေရှင်းခြင်းသည် ဆားကစ်ဒီဇိုင်းနှင့် စက်ရွေးချယ်မှု၏ မရှိမဖြစ်လိုအပ်သော ကဏ္ဍတစ်ခုအဖြစ် ကျန်ရှိနေပါသည်။
စာတင်ချိန်- ဇွန်-၁၁-၂၀၂၄