Metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFET) များသည် ၎င်းတို့၏ သာလွန်ကောင်းမွန်သော ကူးပြောင်းနိုင်မှုစွမ်းရည်နှင့် ထိရောက်မှုတို့ကြောင့် ခေတ်မီအီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများတွင် မရှိမဖြစ်လိုအပ်သော အစိတ်အပိုင်းများဖြစ်လာသည်။ MOSFET ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံအတွင်း မြှုပ်နှံထားသည့်အရာသည် မကြာခဏ သတိမမူမိသော်လည်း အရေးကြီးသောဒြပ်စင်ဖြစ်သည်- ခန္ဓာကိုယ်ဒိုင်အိုဒ။ ဤအစိတ်အပိုင်းသည် ဆားကစ်ကာကွယ်ရေးနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်အတွက် အရေးကြီးသောအခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်ပါသည်။ သို့သော်လည်း MOSFET body diodes များသည် circuit ချွတ်ယွင်းမှုများနှင့် ဖြစ်နိုင်ခြေရှိသော ဘေးကင်းရေး အန္တရာယ်များကို ဖြစ်စေသည်။ ပါဝါ MOSFET diode ချို့ယွင်းခြင်း၏ အဖြစ်များသော အကြောင်းရင်းများကို နားလည်ခြင်းသည် ယုံကြည်စိတ်ချရပြီး ကြံ့ခိုင်သော အီလက်ထရွန်နစ်စနစ်များကို ဒီဇိုင်းထုတ်ခြင်းအတွက် အရေးကြီးဆုံးဖြစ်သည်။
Power MOSFET Diode Failure ၏ အရင်းအမြစ်ကို ထုတ်ဖော်ပြသခြင်း။
Overvoltage Stress- ကိုယ်ထည် diode ၏ ပြောင်းပြန်ဗို့အား အဆင့်ထက်ကျော်လွန်ခြင်းသည် ရုတ်ခြည်းပြိုကွဲသွားကာ diode လမ်းဆုံသို့ ပြန်မလှည့်နိုင်သော ပျက်စီးမှုများကို ဖြစ်စေသည်။ ယာယီဗို့အားတက်ခြင်း၊ မိုးကြိုးပစ်ခြင်း သို့မဟုတ် မလျော်ကန်သော ဆားကစ်ဒီဇိုင်းကြောင့် ဖြစ်နိုင်ပါသည်။
Overcurrent Stress- ခန္ဓာကိုယ် diode ၏ ရှေ့သို့ လက်ရှိကိုင်တွယ်နိုင်စွမ်းကို ကျော်လွန်နေခြင်းသည် အလွန်အမင်း အပူထုတ်ခြင်းကို ဖြစ်ပေါ်စေပြီး diode လမ်းဆုံကို အရည်ပျော်ခြင်း သို့မဟုတ် ကျဆင်းသွားစေသည်။ လက်ရှိ မြင့်မားသော ကူးပြောင်းခြင်း ဖြစ်ရပ်များ သို့မဟုတ် တိုတောင်းသော ပတ်လမ်းအခြေအနေများအတွင်း ၎င်းသည် ဖြစ်ပေါ်နိုင်သည်။
ထပ်ခါတလဲလဲ ပြောင်းလဲခြင်း စိတ်ဖိစီးမှု- မြင့်မားသော ကြိမ်နှုန်းများဖြင့် MOSFET ကို ထပ်ခါတလဲလဲ ကူးပြောင်းခြင်းသည် ခန္ဓာကိုယ် diode လမ်းဆုံတွင် ပင်ပန်းနွမ်းနယ်မှုကို ဖြစ်ပေါ်စေပြီး မိုက်ခရိုအက်ကွဲများနှင့် နောက်ဆုံးတွင် ချို့ယွင်းမှုဖြစ်စေနိုင်သည်။ ၎င်းသည် ကြိမ်နှုန်းမြင့်သော ကူးပြောင်းခြင်းနှင့် လျှပ်ကူးနိုင်သောဝန်များ ပါ၀င်သော အပလီကေးရှင်းများတွင် အထူးသဖြင့် အဖြစ်များသည်။
ပတ်ဝန်းကျင်ဆိုင်ရာအချက်များ- ပြင်းထန်သောအပူချိန်၊ စိုထိုင်းဆ သို့မဟုတ် အဆိပ်ဖြစ်စေသည့်အရာများကဲ့သို့သော ပြင်းထန်သောပတ်ဝန်းကျင်အခြေအနေများကို ထိတွေ့ခြင်းက ခန္ဓာကိုယ်ဒိုင်အိုဒိုက်လမ်းဆုံ၏ ပျက်စီးမှုကို အရှိန်မြှင့်နိုင်ပြီး အရွယ်မတိုင်မီ ချို့ယွင်းမှုဖြစ်စေသည်။
ထုတ်လုပ်ရေးချို့ယွင်းချက်များ- ရှားပါးသောအခြေအနေများတွင်၊ diode လမ်းဆုံရှိ အညစ်အကြေးများ သို့မဟုတ် ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံဆိုင်ရာချို့ယွင်းချက်များကဲ့သို့သော ထုတ်လုပ်မှုချို့ယွင်းချက်များသည် ခန္ဓာကိုယ်ဒိုင်အိုဒကို ပျက်ကွက်စေရန် ကြိုတင်တွန်းအားပေးနိုင်သည်။
Power MOSFET Diode Failure ကို ကာကွယ်ရန် မဟာဗျူဟာများ
ဗို့အားကာကွယ်ရေး- Zener diodes သို့မဟုတ် varistors ကဲ့သို့သော လျှပ်စီးကြောင်းများ ကပ်နေသော ကိရိယာများကို အသုံးပြု၍ ယာယီဗို့အားတက်ခြင်းများကို ကန့်သတ်ရန်နှင့် ခန္ဓာကိုယ် diode အား ဖိအားများလွန်ကဲခြင်းမှ ကာကွယ်ရန်။
လက်ရှိကန့်သတ်ချက်- fuses သို့မဟုတ် active current limiting circuits များ ကဲ့သို့သော current-limiting အစီအမံများကို အကောင်အထည်ဖော်ပါ၊ body diode မှတဆင့် လျှပ်စီးကြောင်း အလွန်အကျွံ စီးဆင်းမှုကို တားဆီးကာ overcurrent ပျက်စီးခြင်းမှ ကာကွယ်ပေးပါသည်။
Snubber Circuits- ကပ်ပါးလျှပ်ကူးပစ္စည်းတွင် သိမ်းဆည်းထားသော စွမ်းအင်များကို ချေဖျက်ရန်နှင့် ခန္ဓာကိုယ် diode ပေါ်ရှိ switching stresses များကို လျှော့ချရန်အတွက် resistors နှင့် capacitors များပါရှိသော snubber circuit များကို အသုံးပြုပါ။
ပတ်ဝန်းကျင် ကာကွယ်ရေး- အကာအကွယ် အကာအရံများတွင် အီလက်ထရွန်နစ် အစိတ်အပိုင်းများကို တပ်ဆင်ပြီး ခန္ဓာကိုယ် ဒိုင်အိုဒိတ်ကို ကြမ်းတမ်းသော ပတ်ဝန်းကျင်ဆိုင်ရာ အကြောင်းရင်းများမှ ကာကွယ်ရန် သင့်လျော်သော တူညီသော အပေါ်ယံအလွှာများကို အသုံးပြုပါ။
အရည်အသွေး အစိတ်အပိုင်းများ- ခန္ဓာကိုယ် diode တွင် ထုတ်လုပ်မှု ချို့ယွင်းချက်များ ဖြစ်နိုင်ခြေကို လျှော့ချရန် ဂုဏ်သိက္ခာရှိသော ထုတ်လုပ်သူများထံမှ အရည်အသွေးမြင့် MOSFETs များကို ရင်းမြစ်ရယူပါ။
နိဂုံး
Power MOSFET body diodes သည် မကြာခဏ လျစ်လျူရှုထားသော်လည်း၊ circuit ကို အကာအကွယ်နှင့် စွမ်းဆောင်ရည်အတွက် အရေးပါသော အခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်ပါသည်။ ၎င်းတို့၏ ပျက်ကွက်ခြင်း၏ ဘုံအကြောင်းရင်းများကို နားလည်ခြင်းနှင့် ကြိုတင်ကာကွယ်မှုအစီအမံများကို အကောင်အထည်ဖော်ခြင်းသည် အီလက်ထရွန်းနစ်စနစ်များ၏ ယုံကြည်စိတ်ချရမှုနှင့် တာရှည်ခံမှုကို သေချာစေရန်အတွက် မရှိမဖြစ်လိုအပ်ပါသည်။ ဤနည်းဗျူဟာများကို ကျင့်သုံးခြင်းဖြင့်၊ အင်ဂျင်နီယာများသည် လိုအပ်ချက်ရှိသော လည်ပတ်မှုအခြေအနေများကို ခံနိုင်ရည်ရှိသော ကြံ့ခိုင်သော ဆားကစ်များကို ဒီဇိုင်းထုတ်နိုင်ပြီး MOSFET diode ချို့ယွင်းမှုအန္တရာယ်ကို လျှော့ချနိုင်ကာ အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းကိရိယာများ၏ ဂုဏ်သိက္ခာကို ကာကွယ်ကာ အလုံးစုံစနစ်ဘေးကင်းမှုကို မြှင့်တင်ပေးနိုင်ပါသည်။
စာတိုက်အချိန်- ဇွန်- ၀၇-၂၀၂၄